爱企猫01月31日消息：据外媒Tom's Hardware报道,长江存储已开始出货第五代3D TLC NAND闪存,共有294层,以及232个有源层。外媒认为长江存储在其闪存中使用了晶栈4.0（Xtacking 4.0）架构,利用混合键合技术将闪存阵列与CMOS逻辑和接口连接起来,以最大限度地提高存储密度和I/O性能。具体规格方面,长江存储第五代3D TLC NAND闪存的位密度据称超过了20Gb/mm²,略低于铠侠和西部数据BiCS8 QLC NAND闪存的22.9Gb/mm²。
外媒称,目前长江存储已成功将其闪存密度提高到行业相同的水平,该公司现已成为全球NAND市场的有力竞争者。
关联信息：
关联信息：长江存储科技有限责任公司是于2016-07-26成立,法人是陈南翔,注册资本6471073.69万人民币,计算机、通信和其他电子设备制造业,位于：武汉东湖新技术开发区未来三路88号
长江存储科技有限责任公司
本文地址：https://news.aiqimao.com/id/38097